Description

رسوب شیمیایی بخار به کمک پلاسما

مدل : CVD-PECVD
استفاده از پلاسما برای لایه نشانی شیمیایی از بخار (PACVD) باعث می شود که واکنش شیمیایی تشکیل لایه در دمایی به مراتب پایین‌تر (550-450 درجه سانتیگراد) از لایه نشانی شیمیایی بخار معمولی (CVD) که در دمای 900-1000 درجه سانتیگراد، انجام می‌گیرد، صورت پذیرفته و لایه مورد نظر ایجاد شود.با استفاده از این روش می توان پوشش‌های دوتایی، سه تایی، چهارتایی به‌صورت تک لایه یا چند لایه نظیرTiN ، TiC، CNTi، TiAlN، TiBN، TiAlCN و غیره را ایجاد کرد.

مزیت های دستگاه رسوب نشان شیمیایی از بخار به کمک پلاسما به این صورت است که با دارا بودن این سیستم امکان انجام فرایند نیتراسیون و متعاقب آن فرایند لایه نشانی وجود دارد به این ترتیب پوشش های فوق سخت بر روی بستر ی با سختی مناسب قرار می گیرند که این امر موجب افزایش استحکام، چسبندگی و مقاومت آن می شود.

این دستگاه قابلیت نیتراسیون پلاسمایی فولادهای صنعتی، ابزار، تندبر و … را دارد. همچنین نیتراسیون پلاسمایی فلزاتی مانند آلومینیوم و تیتانیم نیز به کمک این دستگاه قابل انجام است. لایه نیتریدی تولید شده سبب افزایش سختی و مقاومت به خوردگی فلزات مذکور می­شود.
قابلیت های دستگاه رسوب شیمیایی بخار به کمک پلاسما به صورت اختیاری قابل تغییر می باشد، در صورت درخواست دستگاه استاندارد شرکت، دستگاه به همراه آموزش نحوه رشد نالوله کربنی ارایه خواهد شد.